Investigadores del Toyota Central R&D Laboratories de Aichi, en Japón, describieron la manera de construir obleas de carburo de silicio, SiC con muy pocos defectos en lo que es un paso esencial para la fabricación en masa de dispositivos electrónicos a partir de este compuesto. No obstante quedan seis años antes de que el proceso pueda ser comercializado.

El nuevo proceso implica la creación de capas de Sic a partir de gas a altas temperaturas que permite que la cristalización del compuesto se produzca sólo en su parte más pura. SiC es un semiconductor, pero su utilización en la electrónica estuvo restringido porque es extremadamente duro. Con un punto de fusión cercano de los 2.700 grados Celsius y una dureza cercana a la del diamante, probó ser un material con el que es casi imposible trabajar.